随着全球能源转型的加速，光伏发电与储能系统已成为构建新型电力系统的关键。作为电力电子系统的 “核心心脏” 与 “智能开关”，功率IGBT模块的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性及综合成本。

长晶科技基于FST G3.0工艺平台推出IGBT半桥模块，优化器件在导通损耗和开关损耗表现的综合性能，保证恶劣环境下的运行可靠性，为光伏逆变器、PCS 等应用场景提供高效率、强稳定性的核心技术支撑。

产品介绍

长晶科技推出的1200V IGBT半桥模块系列，包含450A、600A与900A三种电流规格，搭载自主研发的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低损耗及高可靠性的特点，可全面覆盖光伏储能系统需求。

同时长晶科技与国内头部驱动厂商合作推出按产品参数特性定制的驱动板，可提供配合调试支持服务。

电性参数

长晶科技1200V IGBT半桥模块产品具有卓越的性能设计

◆ 针对开关特性，通过优化栅电荷（Qg），实现了开关应力与损耗之间的平衡，提升不同栅极驱动设计的兼容性，并减轻散热系统承受的压力。

◆ 针对通态性能，产品在高温下表现出显著的低VCE(sat)，在系统运行时转化为更低的导通损耗。

◆ 综合芯片选用条件，表现出更低的FOM值（定义见下图），性能优秀同时兼具成本优势。

FOM值定义 = VCE(sat)[V] · Eoff[mJ] · Active Area[cm2]

竞争优势

1.饱和降压

长晶科技FST 3.0 IGBT采用先进的微沟槽栅（1.6μm Pitch）场截止结构，发射极效率优化，有效提升了功率密度。

⬇ 测定条件：IC=450A,VGE=15V

⬇ 测定条件：IC=600A,VGE=15V

⬇ 测定条件：IC=900A,VGE=15V

同测试平台条件下，VCE(sat)基本达到国际主流友商第七代产品优秀水平，高电流900A产品MCF900N120T3E3较竞品饱和压降降低5%~6%，实现高温系统下优异的通态损耗性能。

2.关断损耗

基于同平台双脉冲测试得到TJ=150℃时的关断损耗Eoff，结果如下图所示。

⬇ 测定条件：VCE=600V, IC=450A,Rg=1.3 Ω, VGE=±15V, Inductive Load

⬇ 测定条件：VCE=600V,IC=600A,Rg=7Ω, VGE=±15V, Inductive Load

长晶FST 3.0 IGBT在高温条件下实现了开关应力与关断损耗之间的平衡，这一特性确保了模块在光伏储能系统特定工况下的运行效率与长期稳定性。

长晶科技将致力于高效功率模块的研发与创新，持续推动电力电子系统朝着更小尺寸、更高效率、更可靠稳定且更具成本竞争力的方向不断升级！