“自刻蚀”新方法实现低维光伏材料精密制备
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2026-01-16 09:33:49
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来源:科技日报

15日,记者从中国科学技术大学获悉,该校张树辰特任教授团队联合美国普渡大学上海科技大学的研究团队,首次在二维离子型软晶格材料中,实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑,为低维光伏材料的集成化与器件化开辟了全新路径。相关成果15日在线发表于国际学术期刊《自然》。

半导体领域,能够在材料平面内横向精准构建异质结构,是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键。然而,以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体,其晶体结构柔软且不稳定,传统光刻加工等技术往往因反应过于剧烈而破坏材料结构,难以实现高质量、可控外延的横向异质集成。

面对这一挑战,研究团队提出并发展了一种引导晶体内应力“自刻蚀”新方法。他们设计了一种温和的配体—溶剂微环境,能够选择性地激活并利用这些内应力,引导单晶在特定位置发生可控的“自刻蚀”,从而形成规则的方形孔洞结构。随后,团队通过快速外延生长技术,将不同种类的半导体材料精准回填,最终在单一晶片内部构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量“马赛克”异质结。

“这种全新的加工方法,不是通过‘拼接’不同材料,而是在同一块完整晶体中,引导它自身进行精密的‘自我组装’。”张树辰说,“这意味着,未来我们有可能在一块极薄的材料上,直接‘生长’出密集排列的、能发出不同颜色光的微小像素点,为高性能发光与显示器件的发展,提供一种全新的备选材料体系和设计思路。”

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